Direct assessment of p-n junctions in single GaN nanowires by Kelvin probe force microscopy
NAGIOS: RODERIC FUNCIONANDO

Direct assessment of p-n junctions in single GaN nanowires by Kelvin probe force microscopy

Repositori DSpace/Manakin

Direct assessment of p-n junctions in single GaN nanowires by Kelvin probe force microscopy

Mostra el registre complet de l'element

Visualització       (952.6Kb)

Exportar a Refworks
    
Minj, Albert; Cros Stotter, Ana; Auzelle, Thomas; Pernot, Julien; Daudin, Bruno
Aquest document és un/a article, creat/da en: 2016

    Minj, Albert Cros Stotter, Ana Auzelle, Thomas Pernot, Julien Daudin, Bruno 2016 Direct assessment of p-n junctions in single GaN nanowires by Kelvin probe force microscopy Nanotechnology 27 38 385202
https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/38/385202
distribuït sota llicència Creative Commons de Reconeixement-NoComercial 3.0 No adaptada

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)

Mostra el registre complet de l'element

Cerca a RODERIC

Cerca avançada

Visualitza

Estadístiques