High‐temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in unintentionally and tin‐doped indium selenide
NAGIOS: RODERIC FUNCIONANDO

High‐temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in unintentionally and tin‐doped indium selenide

Repositori DSpace/Manakin

High‐temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in unintentionally and tin‐doped indium selenide

Mostra el registre complet de l'element

Visualització       (875.5Kb)

Exportar a Refworks
    
Martínez Pastor, Juan Pascual; Segura, A.; Chevy, A.
Aquest document és un/a article publicat, creat/da en: 1993

    MARTÍNEZ PASTOR, J. ; SEGURA, A. ; CHEVY, A. High‐temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in unintentionally and tin‐doped indium selenide. En: Journal of Applied Physics, 1993, vol. 74, no. 5
http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000074000005003231000001&idtype=cvips&prog=normal&doi=10.1063/1.354597
distribuït sota llicència Creative Commons de Reconeixement-NoComercial 3.0 No adaptada

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)

Mostra el registre complet de l'element

Cerca a RODERIC

Cerca avançada

Visualitza

Estadístiques